Nowe pamięci eUFS 3.0 od Samsunga
Samsung będzie produkował pamięci eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB, które znajdą zastosowanie w najwydajniejszych urządzeniach mobilnych. Pamięci te wykorzystują kości V-NAND piątej generacji i mają być znacznie wydajniejsze niż eUFS 2.1. Koreańska firma planuje też… Continue Reading
Read more