Samsung będzie produkował pamięci eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB, które znajdą zastosowanie w najwydajniejszych urządzeniach mobilnych. Pamięci te wykorzystują kości V-NAND piątej generacji i mają być znacznie wydajniejsze niż eUFS 2.1. Koreańska firma planuje też produkcję wersji 1 TB, 256GB i 128 GB.
Nowe nośniki danych znajdą się w wielu urządzeniach mobilnych z wyższej półki, takich jak ultrabooki, tablety i smartfony. Dzięki zwiększonej wydajności będą obsługiwały prędkość odczytu na poziomie 2100 MB/s. Poniżej tabela zestawiająca je z innymi produktami.
|
Model |
Prędkość sekwencyjnego odczytu |
Prędkość sekwencyjnego zapisu |
Losowy odczyt 4K |
Losowy zapis 4K |
|
512 GB eUFS 3.0 |
2100 MB/s |
410 MB/s |
63000 IOPS |
68000 IOPS |
|
1 TB eUFS 2.1 |
1000 MB/s |
260 MB/s |
58000 IOPS |
50000 IOPS |
|
512 GB eUFS 2.1 |
860 MB/s |
255 MB/s |
42000 IOPS |
40000 IOPS |
|
eUFS 2.1 na rynek motoryzacyjny |
850 MB/s |
150 MB/s |
45000 IOPS |
32000 IOPS |
|
256 GB UFS (karta) |
530 MB/s |
170 MB/s |
40000 IOPS |
35000 IOPS |
|
128 GB eUFS 2.0 |
350 MB/s |
150 MB/s |
19000 IOPS |
14000 IOPS |
|
eMMC 5.1 |
250 MB/s |
125 MB/s |
11000 IOPS |
13000 IOPS |
|
eMMC 5.0 |
250 MB/s |
90 MB/s |
7000 IOPS |
13000 IOPS |
|
eMMC 4.5 |
140 MB/s |
50 MB/s |
7000 IOPS |
2000 IOPS |
Rozpoczęcie masowej produkcji oznacza, że niebawem pamięci trafią do najnowszych smartfonów i tabletów oraz na sklepowe półki, natomiast na inne warianty pojemnościowe trzeba będzie poczekać do drugiej połowy tego roku.
